GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Numero di parti | MURTA200120 | Produttore | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Statu senza piombo / Status RoHS | Cumpite senza piombo / RoHS |
| Quantità dispunibile | 1209 pcs stock | Scheda tecnica | MURTA200120.pdf |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 100A | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Package per Dispositivi Fornitori | Three Tower | Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - | Imballu | Bulk |
| Pacchetto / Casu | Three Tower | Temperatura di u Carrugliu - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount | Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempu Standard di Costruttore | 4 Weeks | Statu senza piombo / Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard | Configurazione diode | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione dettagliata | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower | Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Da $ 35,00 a tarifa di spedizione di basa dipende da a zona è u paese. |
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